MOSFET Vishay SUP60020E-GE3, VDSS 80 V, ID 150 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
150 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.65mm
Longitud:
10.51mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
151.2 nC @ 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
Altura
9.01mm
País de Origen
China
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€ 161,53
€ 3,231 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
50
€ 161,53
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Empaque de Producción (Tubo)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 3,231 | € 16,15 |
| 125 - 245 | € 3,046 | € 15,23 |
| 250 - 495 | € 2,871 | € 14,35 |
| 500+ | € 2,691 | € 13,45 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
150 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.65mm
Longitud:
10.51mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
151.2 nC @ 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
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9.01mm
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