Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
45 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
58 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3.75 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
95 nC a 10 V
Profundidad
9.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.41mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
4.83mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
$ 5,50
$ 5,50 Each (Sin IVA)
Estándar
1
$ 5,50
$ 5,50 Each (Sin IVA)
Estándar
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | $ 5,50 |
10 - 49 | $ 4,94 |
50 - 99 | $ 4,40 |
100 - 249 | $ 4,03 |
250+ | $ 3,46 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
45 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
58 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3.75 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
95 nC a 10 V
Profundidad
9.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.41mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
4.83mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto