Vishay Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 A, 40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual SQJ208EP-T1_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A a 60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8L doble
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,0067 (canal 2) Ω, 0,016 (canal 1) Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3 (Channel 1) V, 2.4 (Channel 2) V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3 (Channel 1) V, 1.4 (Channel 2) V
Disipación de Potencia Máxima
27 W, 48 W
Configuración de transistor
Dual
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
4.47mm
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V (canal 1), 48,2 nC a 10 V (canal 2)
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.01mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
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€ 1.622,30
€ 0,541 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,0067 (canal 2) Ω, 0,016 (canal 1) Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3 (Channel 1) V, 2.4 (Channel 2) V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3 (Channel 1) V, 1.4 (Channel 2) V
Disipación de Potencia Máxima
27 W, 48 W
Configuración de transistor
Dual
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
4.47mm
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V (canal 1), 48,2 nC a 10 V (canal 2)
Temperatura máxima de funcionamiento
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