Vishay SQ Rugged P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC SQ4431EY-T1_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
SQ Rugged
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
52 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
6 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.55mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, serie SQ resistente, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 12,91
€ 0,645 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
20
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Disipación de Potencia Máxima
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Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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