Vishay SQ Rugged P-Channel MOSFET, 17 A, 40 V, 8-Pin SOIC SQ4401EY-T1_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
SQ Rugged
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
24 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
7,14 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
74 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Altura
1.55mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, serie SQ resistente, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 22,82
€ 2,282 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 2,282 | € 22,82 |
| 50 - 90 | € 1,826 | € 18,26 |
| 100 - 240 | € 1,597 | € 15,97 |
| 250 - 490 | € 1,482 | € 14,82 |
| 500+ | € 1,231 | € 12,31 |
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Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
24 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
7,14 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
74 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Altura
1.55mm
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