MOSFET Vishay SISS27DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 23 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8
Series
TrenchFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
57000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
3.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
3.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
92 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.78mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 831,02
€ 0,277 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Tipo de montaje
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9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
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1V
Disipación de Potencia Máxima
57000 mW
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
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Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
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