MOSFET Vishay SISA04DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 768-9307PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SISA04DN-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

-40 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Series

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.1 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.1V

Disipación de Potencia Máxima

52000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-16 V, +20 V

Profundidad

3.15mm

Longitud

3.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

51 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Altura

1.12mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 25,55

€ 1,278 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Vishay SISA04DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple
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Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 2
20€ 25,55
22€ 28,11
24€ 30,66
26€ 33,22
28€ 35,77
30€ 38,33
32€ 40,88
34€ 43,44
36€ 45,99
38€ 48,55
40€ 51,11
42€ 53,66
44€ 56,22
46€ 58,77
48€ 61,33

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
20 - 98€ 1,278€ 2,56
100 - 198€ 1,147€ 2,29
200 - 498€ 1,082€ 2,16
500+€ 1,016€ 2,03

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Mejora

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