MOSFET Vishay SIRA99DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 195 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 188-5097PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIRA99DP-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

195 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

104 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +16 V.

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

5mm

Longitud:

5.99mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

172.5 nC @ 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Tensión de diodo directa

1.1V

Altura

1.07mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

China

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€ 12,68

€ 2,536 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Vishay SIRA99DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 195 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
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Empaque de Producción (Rollo)

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5€ 12,68
10€ 25,36
15€ 38,04
20€ 50,73
25€ 63,41
30€ 76,09
35€ 88,77
40€ 101,45
45€ 114,13
50€ 126,81
55€ 139,49
60€ 152,18
65€ 164,86
70€ 177,54
75€ 190,22

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Tipo de montaje

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

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5mm

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