MOSFET Vishay SIRA00DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 787-9367PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIRA00DP-T1-GE3
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Series

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.35 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.1V

Disipación de Potencia Máxima

104 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-16 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.25mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

147 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

5.26mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.12mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Información de stock no disponible temporalmente.

€ 115,05

€ 2,301 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Vishay SIRA00DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 5
50€ 115,05
55€ 126,55
60€ 138,06
65€ 149,56
70€ 161,07
75€ 172,57
80€ 184,07
85€ 195,58
90€ 207,08
95€ 218,59
100€ 230,09
105€ 241,60
110€ 253,10
115€ 264,61
120€ 276,11

€ 115,05

€ 2,301 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Vishay SIRA00DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Información de stock no disponible temporalmente.
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 5
50€ 115,05
55€ 126,55
60€ 138,06
65€ 149,56
70€ 161,07
75€ 172,57
80€ 184,07
85€ 195,58
90€ 207,08
95€ 218,59
100€ 230,09
105€ 241,60
110€ 253,10
115€ 264,61
120€ 276,11

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
50 - 120€ 2,301€ 11,50
125 - 245€ 2,082€ 10,41
250 - 495€ 1,959€ 9,79
500+€ 1,837€ 9,19

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Series

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.35 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.1V

Disipación de Potencia Máxima

104 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-16 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.25mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

147 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

5.26mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.12mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more