MOSFET Vishay SiHG30N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 787-9421PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SiHG30N60E-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

29 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

E Series

Tipo de Encapsulado

TO-247AC

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

125 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

5.31mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.87mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

85 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Altura

20.82mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor

Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).

Características

Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Nivel bajo en resistencia (RDS(on))
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Conmutación rápida
Menores pérdidas por conmutación y conducción

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 6,69

€ 6,69 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

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Empaque de Producción (Rollo)

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1€ 6,69
2€ 13,38
3€ 20,07
4€ 26,76
5€ 33,45
6€ 40,13
7€ 46,82
8€ 53,51
9€ 60,20
10€ 66,89
11€ 73,58
12€ 80,27
13€ 86,96
14€ 93,65
15€ 100,34

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E Series

Tipo de Encapsulado

TO-247AC

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

125 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

5.31mm

Material del transistor

Si

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1

Largo

15.87mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

85 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Altura

20.82mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

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Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).

Características

Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG
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