MOSFET Vishay SIHF9620S-GE3, VDSS 200 V, ID 2 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
9.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 8,75
€ 0,875 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,875 | € 8,75 |
| 100 - 240 | € 0,657 | € 6,57 |
| 250 - 490 | € 0,543 | € 5,43 |
| 500 - 990 | € 0,481 | € 4,81 |
| 1000+ | € 0,458 | € 4,58 |
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-200 V
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
9.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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