MOSFET Vishay SIA517DJ-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 4,3 A, 4,5 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4,3 A, 4,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 mΩ, 170 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
6.5 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
2.15mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud:
2.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,1 nC a 8 V, 9,7 nC a 8 V
Altura
0.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 88,78
€ 0,444 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
200
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Empaque de Producción (Rollo)
200
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,444 | € 8,88 |
| 500 - 980 | € 0,375 | € 7,49 |
| 1000 - 1980 | € 0,354 | € 7,08 |
| 2000+ | € 0,303 | € 6,06 |
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N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4,3 A, 4,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 mΩ, 170 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
6.5 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
2.15mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud:
2.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,1 nC a 8 V, 9,7 nC a 8 V
Altura
0.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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