MOSFET Vishay SIA517DJ-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 4,3 A, 4,5 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4,3 A, 4,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 mΩ, 170 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
6.5 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
2.15mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
2.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,1 nC a 8 V, 9,7 nC a 8 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.8mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 10,08
€ 0,504 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
€ 10,08
€ 0,504 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,504 | € 10,08 |
| 200 - 480 | € 0,444 | € 8,89 |
| 500 - 980 | € 0,373 | € 7,46 |
| 1000 - 1980 | € 0,353 | € 7,06 |
| 2000+ | € 0,302 | € 6,04 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4,3 A, 4,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 mΩ, 170 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
6.5 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
2.15mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
2.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,1 nC a 8 V, 9,7 nC a 8 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.8mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products