MOSFET Vishay SIA416DJ-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 11,3 A, PowerPAK SC-70 de 6 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 165-6297Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIA416DJ-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

11.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SC-70

Series

ThunderFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

130 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.6V

Disipación de Potencia Máxima

19 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

2.15mm

Longitud

2.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,5 nC a 10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

0.75mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 716,67

€ 0,239 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

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100 V

Tipo de Encapsulado

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Series

ThunderFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

130 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.6V

Disipación de Potencia Máxima

19 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

2.15mm

Longitud

2.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,5 nC a 10 V

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