Transistor MOSFET Vishay SI9945BDY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 5,3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
72 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3.1 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V
Profundidad
4mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Taiwan, Province Of China
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Price on asking
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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SOIC
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
72 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3.1 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V
Profundidad
4mm
Número de Elementos por Chip
2
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