Transistor MOSFET Vishay SI9945BDY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 5,3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos

Código de producto RS: 919-5873Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI9945BDY-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

72 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

3.1 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13 nC a 10 V

Profundidad

4mm

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.5mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

Taiwan, Province Of China

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Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)

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Tipo de montaje

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Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

72 mΩ

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Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

3.1 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Profundidad

4mm

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