MOSFET Vishay SI9407BDY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 3,8 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 818-1444PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI9407BDY-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3.8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

150 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14,5 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Altura

1.55mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 6,78

€ 0,339 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Vishay SI9407BDY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 3,8 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
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Empaque de Producción (Rollo)

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Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20€ 6,78
40€ 13,56
60€ 20,34
80€ 27,12
100€ 33,90
120€ 40,68
140€ 47,47
160€ 54,25
180€ 61,03
200€ 67,81
220€ 74,59
240€ 81,37
260€ 88,15
280€ 94,93
300€ 101,71

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SOIC

Tipo de Montaje

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

150 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

4mm

Material del transistor

Si

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1

Largo

5mm

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14,5 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Operación

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Altura

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