MOSFET Vishay SI9407BDY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 3,8 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 818-1444Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI9407BDY-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3.8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

150 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14,5 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.55mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 20,06

€ 1,003 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

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Producción -

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Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

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20€ 20,06
40€ 40,11
60€ 60,17
80€ 80,23
100€ 76,21
120€ 91,45
140€ 106,69
160€ 121,93
180€ 137,17
200€ 140,49
220€ 154,54
240€ 168,59
260€ 182,64
280€ 196,69
300€ 210,73

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
20 - 80€ 1,003€ 20,06
100 - 180€ 0,762€ 15,24
200 - 480€ 0,702€ 14,05
500 - 980€ 0,552€ 11,03
1000+€ 0,521€ 10,43

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150 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

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5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Anchura

4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

5mm

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Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

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