MOSFET Vishay SI7850DP-T1-E3, VDSS 60 V, ID 6.2 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
22 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1,8 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
5.89mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
4.9mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 10 V
Altura
1.04mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 9,30
€ 1,86 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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Información de stock no disponible temporalmente.
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,86 | € 9,30 |
| 50 - 120 | € 1,581 | € 7,90 |
| 125 - 245 | € 1,377 | € 6,88 |
| 250 - 495 | € 1,134 | € 5,67 |
| 500+ | € 0,896 | € 4,48 |
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6.2 A
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60 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
22 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1,8 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
5.89mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
4.9mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 10 V
Altura
1.04mm
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