MOSFET Vishay SI7288DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
22 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
15.6 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
5mm
Material del transistor
Si
Longitud:
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1.07mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 108,82
€ 1,088 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 108,82
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Empaque de Producción (Rollo)
100
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 1,088 | € 10,88 |
| 250 - 490 | € 0,916 | € 9,16 |
| 500 - 990 | € 0,859 | € 8,59 |
| 1000+ | € 0,802 | € 8,02 |
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N
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40 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
22 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
15.6 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
5mm
Material del transistor
Si
Longitud:
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1.07mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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