MOSFET Vishay SI7288DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
22 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
15.6 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Longitud
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1.07mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 11,65
€ 1,165 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,165 | € 11,65 |
| 100 - 240 | € 1,106 | € 11,06 |
| 250 - 490 | € 0,932 | € 9,32 |
| 500 - 990 | € 0,874 | € 8,74 |
| 1000+ | € 0,815 | € 8,15 |
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Tipo de montaje
Montaje superficial
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8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
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15.6 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Longitud
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
2
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