MOSFET Vishay SI7149ADP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 18 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
48000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Longitud:
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
90 nC @ 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Altura
1.07mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 12,04
€ 0,602 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,602 | € 12,04 |
| 200 - 480 | € 0,572 | € 11,43 |
| 500 - 980 | € 0,482 | € 9,63 |
| 1000 - 1980 | € 0,452 | € 9,05 |
| 2000+ | € 0,422 | € 8,44 |
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18 A
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30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
48000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Longitud:
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
90 nC @ 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Altura
1.07mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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