MOSFET Vishay SI4511DY-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3,7 A, 7,2 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Brand

Tipo de Canal

N, P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3.7 A, 7.2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14 mΩ, 50 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

1.1 W

Configuración de transistor

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-16 V, -12 V, +12 V, +16 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

11,5 nC a 10 V, 17 nC a 10 V

Profundidad

4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.55mm

País de Origen

China