Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
6 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44,4 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
4mm
Material del transistor
Si
Altura
1.5mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 8,06
€ 1,613 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
6 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44,4 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
4mm
Material del transistor
Si
Altura
1.5mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
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