MOSFET Vishay SI4190ADY-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 18 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 787-9235Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI4190ADY-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

18 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

6 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

44,4 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

4mm

Material del transistor

Si

Altura

1.5mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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SOIC

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2.2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

6 W

Configuración de transistor

Single

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1

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

44,4 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

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Material del transistor

Si

Altura

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