MOSFET Vishay SI4116DY-T1-GE3, VDSS 25 V, ID 12.7 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,5 nC a 4,5 V, 37 nC a 10 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Altura
1.55mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 42,07
€ 0,841 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
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Empaque de Producción (Rollo)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 0,841 | € 4,21 |
| 250 - 495 | € 0,761 | € 3,80 |
| 500 - 1245 | € 0,718 | € 3,59 |
| 1250+ | € 0,673 | € 3,36 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,5 nC a 4,5 V, 37 nC a 10 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Altura
1.55mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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China
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