MOSFET Vishay SI3477DV-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 8 A, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
TSOP-6
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
33 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
4.2 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Anchura
1.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
58 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 83,61
€ 0,418 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
200
€ 83,61
€ 0,418 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
200
Información de stock no disponible temporalmente.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,418 | € 8,36 |
| 500 - 980 | € 0,40 | € 8,00 |
| 1000 - 1980 | € 0,355 | € 7,10 |
| 2000+ | € 0,334 | € 6,69 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
TSOP-6
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
33 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
4.2 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Anchura
1.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
58 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products