MOSFET Vishay SI2308BDS-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 1,9 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 710-3257Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI2308BDS-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1.9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

156 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1.09 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

3.04mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

1.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4,5 nC a 10 V

Altura

1.02mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 9,04

€ 0,452 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

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Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20€ 9,04
40€ 18,08
60€ 27,12
80€ 36,16
100€ 45,20
120€ 54,24
140€ 63,28
160€ 72,32
180€ 81,36
200€ 67,97
220€ 74,77
240€ 81,57
260€ 88,36
280€ 95,16
300€ 101,96

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
20 - 180€ 0,452€ 9,04
200 - 480€ 0,34€ 6,80
500 - 980€ 0,316€ 6,31
1000 - 1980€ 0,272€ 5,43
2000+€ 0,225€ 4,51

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Vishay

Tipo de Canal

N

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1.9 A

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60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

156 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1.09 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

3.04mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

1.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4,5 nC a 10 V

Altura

1.02mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

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