MOSFET Vishay SI2304DDS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1.7 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4,5 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.02mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 12,18
€ 0,244 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
Estándar
50
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Información de stock no disponible temporalmente.
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50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,244 | € 12,18 |
| 500 - 1200 | € 0,171 | € 8,54 |
| 1250 - 2450 | € 0,134 | € 6,69 |
| 2500 - 4950 | € 0,122 | € 6,12 |
| 5000+ | € 0,11 | € 5,48 |
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
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75 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1.7 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4,5 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.02mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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