Transistor MOSFET Vishay SI2303BDS-T1-E3, VDSS 30 V, ID 1.3 A, SOT-23 de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

200 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

700 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4,3 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.04mm

Profundidad

1.4mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.02mm