MOSFET Vishay SI1029X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 190 mA, 300 mA, SC-89-6 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 787-9055Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI1029X-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N, P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

190 mA, 300 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SC-89-6

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3 Ω, 8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

250 mW

Configuración de transistor

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

1.7mm

Anchura

1.7mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

2

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1700 nC a 15 V, 750 nC a 4,5 V

Altura

0.6mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 9,89

$ 0,494 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

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Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 9,89
40$ 19,77
60$ 29,66
80$ 39,55
100$ 49,43
120$ 59,32
140$ 69,20
160$ 79,09
180$ 88,98
200$ 93,11
220$ 102,42
240$ 111,73
260$ 121,05
280$ 130,36
300$ 139,67

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
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200 - 480$ 0,466$ 9,31
500 - 980$ 0,42$ 8,41
1000 - 1980$ 0,396$ 7,92
2000+$ 0,371$ 7,42

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6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3 Ω, 8 Ω

Modo de Canal

Mejora

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1V

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250 mW

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Largo

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Anchura

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2

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