MOSFET Vishay SI1029X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 190 mA, 300 mA, SC-89-6 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 787-9055Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI1029X-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N, P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

190 mA, 300 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SC-89-6

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3 Ω, 8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

250 mW

Configuración de transistor

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

1.7mm

Anchura

1.7mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

2

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1700 nC a 15 V, 750 nC a 4,5 V

Altura

0.6mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 8,44

€ 0,422 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

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Producción -

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Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

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20€ 8,44
40€ 16,88
60€ 25,32
80€ 33,75
100€ 42,19
120€ 50,63
140€ 59,07
160€ 67,51
180€ 75,95
200€ 79,48
220€ 87,43
240€ 95,37
260€ 103,32
280€ 111,27
300€ 119,22

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
20 - 180€ 0,422€ 8,44
200 - 480€ 0,397€ 7,95
500 - 980€ 0,359€ 7,18
1000 - 1980€ 0,338€ 6,76
2000+€ 0,317€ 6,34

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6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3 Ω, 8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

250 mW

Configuración de transistor

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Temperatura Máxima de Funcionamiento

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Largo

1.7mm

Anchura

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Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

2

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