Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
190 mA, 300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SC-89-6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω, 8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
1.7mm
Anchura
1.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1700 nC a 15 V, 750 nC a 4,5 V
Altura
0.6mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 8,44
€ 0,422 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
€ 8,44
€ 0,422 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
20 - 180 | € 0,422 | € 8,44 |
200 - 480 | € 0,397 | € 7,95 |
500 - 980 | € 0,359 | € 7,18 |
1000 - 1980 | € 0,338 | € 6,76 |
2000+ | € 0,317 | € 6,34 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
190 mA, 300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SC-89-6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω, 8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
1.7mm
Anchura
1.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1700 nC a 15 V, 750 nC a 4,5 V
Altura
0.6mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto