MOSFET Vishay SI1012CR-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 630 mA, SC-75 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
630 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SC-75
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
240 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
0.86mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,3 nC a 8 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
1.68mm
Altura
0.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 20,11
€ 0,101 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
200
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Empaque de Producción (Rollo)
200
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,101 | € 2,01 |
| 500 - 980 | € 0,09 | € 1,80 |
| 1000 - 1980 | € 0,079 | € 1,57 |
| 2000+ | € 0,077 | € 1,55 |
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N
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630 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SC-75
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
240 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
0.86mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,3 nC a 8 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
1.68mm
Altura
0.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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