MOSFET Vishay SI1012CR-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 630 mA, SC-75 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 787-9005Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI1012CR-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

630 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SC-75

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.1 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

240 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Profundidad

0.86mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,3 nC a 8 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

1.68mm

Altura

0.8mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 2,91

€ 0,145 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)

MOSFET Vishay SI1012CR-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 630 mA, SC-75 de 3 pines, , config. Simple
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Estándar

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20€ 2,91
40€ 5,82
60€ 8,72
80€ 11,63
100€ 14,54
120€ 17,45
140€ 20,36
160€ 23,27
180€ 26,17
200€ 20,08
220€ 22,09
240€ 24,10
260€ 26,11
280€ 28,11
300€ 30,12

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260€ 26,11
280€ 28,11
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Cinta
20 - 180€ 0,145€ 2,91
200 - 480€ 0,10€ 2,01
500 - 980€ 0,09€ 1,80
1000 - 1980€ 0,078€ 1,57
2000+€ 0,077€ 1,55

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N

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Tipo de Encapsulado

SC-75

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.1 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

240 mW

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Profundidad

0.86mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,3 nC a 8 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

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1

Longitud

1.68mm

Altura

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