MOSFET Vishay IRLU110PBF, VDSS 100 V, ID 4,3 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Profundidad
2.38mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,1 nC a 5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
6.22mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 40,92
€ 0,546 Each (In a Tube of 75) (Sin IVA)
75
€ 40,92
€ 0,546 Each (In a Tube of 75) (Sin IVA)
75
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 75 - 75 | € 0,546 | € 40,92 |
| 150 - 300 | € 0,518 | € 38,84 |
| 375+ | € 0,491 | € 36,85 |
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Tipo de montaje
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
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Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Profundidad
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Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,1 nC a 5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
6.22mm
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