MOSFET Vishay IRLU110PBF, VDSS 100 V, ID 4.3 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 708-4884Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: IRLU110PBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

4.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

IPAK (TO-251)

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

540 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±10 V

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,1 nC a 5 V

Anchura

2.38mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

6.73mm

Altura

6.22mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 7,43

€ 1,487 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
5 - 45€ 1,487€ 7,43
50 - 120€ 1,189€ 5,94
125 - 245€ 1,116€ 5,58
250 - 495€ 0,967€ 4,83
500+€ 0,896€ 4,48

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N

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Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

IPAK (TO-251)

Tipo de Montaje

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Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

540 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±10 V

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Anchura

2.38mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

6.73mm

Altura

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