Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,1 nC a 5 V
Anchura
2.38mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.73mm
Altura
6.22mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 7,43
€ 1,487 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 7,43
€ 1,487 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Estándar
5
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,487 | € 7,43 |
50 - 120 | € 1,189 | € 5,94 |
125 - 245 | € 1,116 | € 5,58 |
250 - 495 | € 0,967 | € 4,83 |
500+ | € 0,896 | € 4,48 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,1 nC a 5 V
Anchura
2.38mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.73mm
Altura
6.22mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto