MOSFET Vishay IRFR210TRPBF, VDSS 200 V, ID 2,6 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,2 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
2.38mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
2V
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 58,59
€ 0,586 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 58,59
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Empaque de Producción (Rollo)
100
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,586 | € 5,86 |
| 250 - 490 | € 0,54 | € 5,40 |
| 500 - 990 | € 0,509 | € 5,09 |
| 1000+ | € 0,423 | € 4,23 |
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2.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,2 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
2.38mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
2V
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