MOSFET Vishay IRFPC50PBF, VDSS 600 V, ID 11 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
600 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
180000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5.31mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.87mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
140 nC a 10 V
Altura
20.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 4,65
€ 4,65 Each (Sin IVA)
Estándar
1
€ 4,65
€ 4,65 Each (Sin IVA)
Estándar
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | € 4,65 |
10 - 49 | € 4,18 |
50 - 99 | € 3,95 |
100 - 249 | € 3,81 |
250+ | € 3,44 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
600 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
180000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5.31mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.87mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
140 nC a 10 V
Altura
20.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto