MOSFET Vishay IRFPC50APBF, VDSS 600 V, ID 11 A, TO-247AC de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
580 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
180000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
70 nC a 10 V
Profundidad
5.31mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
15.87mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 5,99
€ 5,99 Each (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | € 5,99 |
| 10 - 49 | € 5,63 |
| 50 - 99 | € 5,09 |
| 100 - 249 | € 4,79 |
| 250+ | € 4,50 |
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Si
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
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