Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
280000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.31mm
Longitud:
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
110 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
20.7mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 300 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
$ 37,64
$ 1,506 Each (In a Tube of 25) (Sin IVA)
25
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VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
280000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.31mm
Longitud:
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
110 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
20.7mm
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