Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5.31mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
15.87mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
150 nC a 10 V
Altura
20.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 300 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 33,54
€ 3,35 Each (Supplied in a Bag) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Bolsa)
10
€ 33,54
€ 3,35 Each (Supplied in a Bag) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Bolsa)
10
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
10 - 49 | € 3,35 |
50 - 99 | € 3,18 |
100 - 249 | € 3,06 |
250+ | € 2,77 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5.31mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
15.87mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
150 nC a 10 V
Altura
20.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto