MOSFET Vishay IRFP250PBF, VDSS 200 V, ID 30 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
85 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
140 nC a 10 V
Ancho
5.31mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
15.87mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
20.7mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 27,24
€ 2,724 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
10
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Empaque de Producción (Tubo)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 2,724 | € 13,62 |
| 25 - 45 | € 2,401 | € 12,00 |
| 50 - 120 | € 2,241 | € 11,20 |
| 125+ | € 2,084 | € 10,42 |
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N
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30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
85 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
140 nC a 10 V
Ancho
5.31mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
15.87mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
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