Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
5.31mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
20.82mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 15,78
€ 3,156 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 15,78
€ 3,156 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 20 | € 3,156 | € 15,78 |
25 - 45 | € 2,684 | € 13,42 |
50 - 120 | € 2,368 | € 11,84 |
125 - 245 | € 2,209 | € 11,04 |
250+ | € 2,052 | € 10,26 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
5.31mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
20.82mm
Datos del producto