Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
235 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
370000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
5.31mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
150 nC a 10 V
Altura
20.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 6,882
Each (In a Tube of 25) (Sin IVA)
25
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25
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
25 - 25 | $ 6,882 | $ 172,06 |
50 - 100 | $ 6,469 | $ 161,73 |
125+ | $ 5,85 | $ 146,24 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
235 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
370000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
5.31mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
150 nC a 10 V
Altura
20.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto