Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
70 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud:
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
190 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Anchura
5.31mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
20.82mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 82,75
€ 4,138 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
20
€ 82,75
€ 4,138 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
20
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
20 - 48 | € 4,138 | € 8,28 |
50 - 98 | € 3,968 | € 7,94 |
100 - 198 | € 3,524 | € 7,05 |
200+ | € 3,308 | € 6,62 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
70 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud:
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
190 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Anchura
5.31mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
20.82mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto