MOSFET Vishay IRFP064PBF, VDSS 60 V, ID 70 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
70 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5.31mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
190 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
20.82mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 84,27
€ 4,214 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
20
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Empaque de Producción (Tubo)
20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 20 - 48 | € 4,214 | € 8,43 |
| 50 - 98 | € 4,04 | € 8,08 |
| 100 - 198 | € 3,589 | € 7,18 |
| 200+ | € 3,37 | € 6,74 |
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N
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70 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5.31mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
190 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
20.82mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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