Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
37 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
110 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.8mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 77,14
€ 1,543 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
37 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
110 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.8mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto