MOSFET Vishay IRFIZ48GPBF, VDSS 60 V, ID 37 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
37 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
110 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.8mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 126,47
€ 2,529 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
50
€ 126,47
€ 2,529 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
50
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 2,529 | € 12,65 |
| 125 - 245 | € 2,388 | € 11,94 |
| 250 - 495 | € 2,303 | € 11,51 |
| 500+ | € 2,078 | € 10,39 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
37 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
110 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.8mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products