Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
750 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
60 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
49 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 2,82
€ 2,82 Each (Sin IVA)
Estándar
1
€ 2,82
€ 2,82 Each (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Estándar
1
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | € 2,82 |
10 - 49 | € 2,39 |
50 - 99 | € 2,25 |
100 - 249 | € 2,07 |
250+ | € 1,78 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
750 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
60 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
49 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto