Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
37000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
10.63mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Profundidad
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Altura
16.12mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 11,45
€ 1,145 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
€ 11,45
€ 1,145 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Estándar
10
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 40 | € 1,145 | € 11,45 |
50 - 90 | € 1,031 | € 10,31 |
100 - 240 | € 0,974 | € 9,74 |
250 - 490 | € 0,905 | € 9,05 |
500+ | € 0,744 | € 7,44 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
37000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
10.63mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Profundidad
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Altura
16.12mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto