MOSFET Vishay IRFI9Z24GPBF, VDSS 60 V, ID 6 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
37000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud:
10.63mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Anchura
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Altura
16.12mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 11,26
€ 1,126 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,126 | € 11,26 |
| 50 - 90 | € 1,013 | € 10,13 |
| 100 - 240 | € 0,957 | € 9,57 |
| 250 - 490 | € 0,889 | € 8,90 |
| 500+ | € 0,732 | € 7,32 |
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
37000 mW
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud:
10.63mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Anchura
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Altura
16.12mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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