MOSFET Vishay IRFI9610GPBF, VDSS 200 V, ID 2 A, TO-220FP de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
27000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 11,28
€ 2,256 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,256 | € 11,28 |
| 50 - 245 | € 2,12 | € 10,60 |
| 250 - 495 | € 1,919 | € 9,60 |
| 500 - 1245 | € 1,805 | € 9,02 |
| 1250+ | € 1,692 | € 8,46 |
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
27000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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