MOSFET Vishay IRFI820GPBF, VDSS 500 V, ID 2,1 A, TO-220FP de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.8mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Price on asking
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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Through Hole
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3
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3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
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Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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