MOSFET Vishay IRFD9020PBF, VDSS 60 V, ID 1,6 A, HVMDIP de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
5mm
Longitud
6.29mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
6.3V
Altura
3.37mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 103,15
$ 1,031 Each (In a Tube of 100) (Sin IVA)
100
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100
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 100 - 100 | $ 1,031 | $ 103,15 |
| 200 - 400 | $ 1,011 | $ 101,14 |
| 500+ | $ 0,959 | $ 95,93 |
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1.6 A
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Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
5mm
Longitud
6.29mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
6.3V
Altura
3.37mm
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