MOSFET Vishay IRFD110PBF, VDSS 100 V, ID 1 A, HVMDIP de 4 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,3 nC a 10 V
Ancho
6.29mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
3.37mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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1
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HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
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540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,3 nC a 10 V
Ancho
6.29mm
Material del transistor
Si
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5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
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